SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PASANGAN

Katerangan pondok:

Produsén: Vishay
Kategori Produk: MOSFET
Lembar data:SI1029X-T1-GE3
Katerangan: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Status RoHS: RoHS patuh


Rincian produk

Fitur

APLIKASI

Tag produk

♠ Katerangan Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: Vishay
Kategori produk: MOSFET
RoHS: Rincian
Téknologi: Si
Gaya pamasangan: SMD/SMT
Paket/Kasus: SC-89-6
Polaritas Transistor: Saluran-N, Saluran-P
Jumlah Saluran: 2 Saluran
Vds - Tegangan Ngarecahna Sumber: 60 V
Id - Arus Saluran Kontinyu: 500 mA
Rds On - Lalawanan Sumber-Drain: 1,4 ohm, 4 ohm
Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gerbang-Sumber Ambang Tegangan: 1 V
Qg - muatan Gerbang: 750 pC, 1,7 nC
Suhu Operasi Minimum: - 55 C
Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
Pd - Dissipasi Daya: 280 mW
Mode saluran: Ningkatkeun
Ngaran dagang: TrenchFET
bungkusan: Reel
bungkusan: Potong Tape
bungkusan: MouseReel
merek: Vishay Semikonduktor
Konfigurasi: Ganda
Transkonduktansi Maju - Min: 200 mS, 100 mS
Jangkungna: 0,6 mm
Panjangna: 1,66 mm
Jenis produk: MOSFET
runtuyan: SI1
Jumlah Paket Pabrik: 3000
Subkategori: MOSFETs
Jenis Transistor: 1 Saluran-N, 1 Saluran-P
Waktos Tunda Pareum Biasa: 20 ns, 35 ns
Waktos Tunda Hurungkeun Biasa: 15 ns, 20 ns
lebar: 1,2 mm
Bagian # Alias: SI1029X-GE3
Unit beurat: 32 mg

 


  • saméméhna:
  • Teras:

  • • Halogén bébas Numutkeun IEC 61249-2-21 Harti

    • TrenchFET® Power MOSFETs

    • tapak suku pisan leutik

    • High-Sisi switching

    • Résistansi rendah:

    Saluran-N, 1,40 Ω

    P-Channel, 4 Ω

    • Ambang Handap: ± 2 V (typ.)

    • Laju Pindah Gancang: 15 ns (typ.)

    • Gerbang-Sumber ESD ditangtayungan: 2000 V

    • Patuh kana RoHS Directive 2002/95/EC

    • Ngaganti Transistor Digital, Level-Shifter

    • Batré Dioperasikeun Systems

    • Power Supply Parabot Parobah Circuit

    Produk patali